PI2525は比較的低温でもイミド化が起こるため、350℃などの高温での硬化処理が難しい用途にご使用いただける非感光性のポリイミド前駆体です。一般的には半導体パッケージのストレスバッファーや相関絶縁膜として利用されております。密着助剤により事前に基板を前処理することで、シリコン基板や金属に対して高い密着性を発現いたします。
特徴
ウェットエッチングプロセスに対応
PI2525は非感光性のポリイミドですが、レジストコーティング材料を使用することで、TMAH現像によるパターニングを実施することができます。
低温硬化対応
PI2525は他の非感光性PIに比べて低温での硬化が可能です。低い温度でもポリイミド前駆体がポリイミドを形成し、特性を発揮することができます。
優れた室温保管安定性
PI2525は非常に優れた保管安定性を示します。室温保管においての粘度変化が少なく、コーティングの膜厚変化を抑制することができます。
特性データ
低温硬化対応非感光性ポリイミド
- 感光性
- 非感光ポリイミド
- 現像液
- -
- 硬化温度
- 250-350℃
- 膜厚
- 6-12 μm
- NMP free
- -
- 解像度(5μmt)
- -
- 弾性率
- 3.3 GPa
- 破断伸び
- 40%
- 引張強度
- 130 MPa
- ガラス転移温度(Tg)
- 310 ℃
- 線熱膨張係数(CTE)
- -
- 5%重量減少温度(Td5)
- 560 ℃
- アプリケーション
- ストレスバッファー
使用例
保護膜
当社は先端ノードのデバイスから産業用の大電力デバイスまで様々なデバイスの回路基板上に幅広いプロセス条件や物性要求に適応し、且つ環境に配慮したポリイミドコーティング製品を提供しています。ストレスバッファー用の保護膜は膜厚3～10um程度で形成され、配線や無機絶縁層をその後の実装作業や温度変化に伴う応力から保護し、信頼性を確保します。
安全データシート（SDS）
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